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首頁歐美晶振 ECLIPTEK晶振ECLIPTEK晶振,EA3250JA12-8.000M晶振,智能手機(jī)晶振

ECLIPTEK晶振,EA3250JA12-8.000M晶振,智能手機(jī)晶振

編號(hào)：62227167
頻率：8MHZ
尺寸：5.0*3.2mm

ECLIPTEK晶振,EA3250JA12-8.000M晶振,智能手機(jī)晶振，智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端...

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　 ECLIPTEK晶振,EA3250JA12-8.000M晶振,智能手機(jī)晶振，智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
　 ECLIPTEK晶振,EA3250JA12-8.000M晶振,智能手機(jī)晶振，石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

ECLIPTEK晶振公司成立于1987年，是一家在頻率控制市場(chǎng)上公認(rèn)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。我們最先進(jìn)的產(chǎn)品和領(lǐng)先的前沿技術(shù)使我們能夠?yàn)槲覀兊目蛻籼峁┳詈玫臒o源貼片晶體和振蕩器產(chǎn)品。服務(wù)是ECLIPTEK晶振成功的基石。我們考慮客戶的合作伙伴，努力滿足并超越他們對(duì)質(zhì)量、客戶服務(wù)和價(jià)值的要求。公司擁有專業(yè)的技術(shù)支持和全面的質(zhì)量計(jì)劃，使其成為行業(yè)最優(yōu)秀的頻率控制產(chǎn)品資源。ECLIPTEK晶振,EA3250JA12-8.000M晶振,智能手機(jī)晶振.

ECLIPTEK晶振公司是一家專注于為我們的市場(chǎng)提供高質(zhì)量進(jìn)口晶振產(chǎn)品系列產(chǎn)品的公司。我們的目標(biāo)是通過提供無與倫比的客戶服務(wù)和對(duì)客戶、員工和供應(yīng)商的長(zhǎng)期承諾，穩(wěn)步發(fā)展。

為確保這一使命的成功，超過公司的總裁和質(zhì)量部創(chuàng)造了一個(gè)質(zhì)量改進(jìn)手冊(cè)。這份基于ISO 9001的文件陳述了超過了任務(wù)的任務(wù)，以確保任務(wù)聲明的持續(xù)履行。本公司質(zhì)量改進(jìn)手冊(cè)的一個(gè)基本原則是:黃道質(zhì)量方針。

Nominal Frequency	8.000MHz
Frequency Tolerance/Stability	±15ppm at 25°C, ±30ppm over -40°C to +85°C
Aging at 25°C	±3ppm/year Maximum
Load Capacitance	12pF Parallel Resonant
Shunt Capacitance	5pF Maximum
Equivalent Series Resistance	120 Ohms Maximum
Mode of Operation	AT-Cut Fundamental
Drive Level	100µWatts Maximum
Spurious Response	-3dB Minimum (Measured from Fo to Fo+5000ppm)
Storage Temperature Range	-40°C to +125°C
Insulation Resistance	500 Megaohms Minimum (Measured at 100Vdc)

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的進(jìn)口晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.ECLIPTEK晶振,EA3250JA12-8.000M晶振,智能手機(jī)晶振.

抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

超聲波清洗

（1）使用AT-切割晶體和聲表面濾波器（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗.但是,在某些條件下, 石英SMD晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.

（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐?

（3）請(qǐng)勿清洗開啟式無源晶振產(chǎn)品

（4）對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等.

（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固.這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量.請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.

ECLIPTEK晶振將確保其振蕩器和石英晶體諧振器產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.ECLIPTEK晶振,EA3250JA12-8.000M晶振,智能手機(jī)晶振.

Ecliptek貼片石英晶振將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意.
ECLIPTEK晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少?gòu)U物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).
對(duì)我們的高品質(zhì)貼片無源晶振產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.

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